창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RCWE121082L5FKEA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RCWE Series Datasheet | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | RCWE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.0825 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 1W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200, 전류 감지, 내습성 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1210 | |
크기/치수 | 0.122" L x 0.098" W(3.10mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.028"(0.70mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RCWE121082L5FKEA | |
관련 링크 | RCWE12108, RCWE121082L5FKEA 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 173D564X9050VWE3 | 0.56µF Molded Tantalum Capacitors 50V Axial 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | 173D564X9050VWE3.pdf | |
![]() | SIT8009BI-13-33E-125.008750D | OSC XO 3.3V 125.00875MHZ OE | SIT8009BI-13-33E-125.008750D.pdf | |
![]() | LM70CMM-3 | LM70CMM-3 NS TSSOP-8 | LM70CMM-3.pdf | |
![]() | AN5900 | AN5900 ORIGINAL SMD or Through Hole | AN5900.pdf | |
![]() | 47C635N3941 | 47C635N3941 SHARP DIP54 | 47C635N3941.pdf | |
![]() | CXD2053AM-T6 | CXD2053AM-T6 SONY SOP28 | CXD2053AM-T6.pdf | |
![]() | TA8246HQ | TA8246HQ TOSHIBA HSIP12 | TA8246HQ.pdf | |
![]() | IDT71421-SA55PF | IDT71421-SA55PF IDT QFP | IDT71421-SA55PF.pdf | |
![]() | 0402N4R3C500LXNY | 0402N4R3C500LXNY ORIGINAL SMD | 0402N4R3C500LXNY.pdf | |
![]() | TE28F008BVT90 | TE28F008BVT90 INTEL TSOP | TE28F008BVT90.pdf | |
![]() | MD2533-d8G-X-P NAND FLASH MEMORY,1024MX | MD2533-d8G-X-P NAND FLASH MEMORY,1024MX M-Systems 2009 | MD2533-d8G-X-P NAND FLASH MEMORY,1024MX.pdf | |
![]() | B6555AES | B6555AES ORIGINAL BGA | B6555AES.pdf |