창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RCD060N25TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RCD060N25 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 530m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 840pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | CPT3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RCD060N25TL | |
관련 링크 | RCD060, RCD060N25TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001CI2-011.0592 | 11.0592MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CI2-011.0592.pdf | |
![]() | DFEG7030D-3R3M=P3 | 3.3µH Shielded Inductor 5.4A 29 mOhm Max Nonstandard | DFEG7030D-3R3M=P3.pdf | |
![]() | 202S47N151KV4E | 202S47N151KV4E JOHANSON SMD | 202S47N151KV4E.pdf | |
![]() | LTC2052HVHS | LTC2052HVHS LT SOP14 | LTC2052HVHS.pdf | |
![]() | 2SC1815 8G 200-400 | 2SC1815 8G 200-400 HT SOT-23 | 2SC1815 8G 200-400.pdf | |
![]() | B1204 | B1204 SANYO TO-251 | B1204.pdf | |
![]() | CS18LV20483CIR70 | CS18LV20483CIR70 n/a SMD or Through Hole | CS18LV20483CIR70.pdf | |
![]() | WP4G+ | WP4G+ MINI QFN | WP4G+.pdf | |
![]() | M27C400115CI | M27C400115CI SGS SMD or Through Hole | M27C400115CI.pdf | |
![]() | CN8234EBGD28234-15P | CN8234EBGD28234-15P ORIGINAL BGA | CN8234EBGD28234-15P.pdf | |
![]() | RJJ-50V331MH7E-1 | RJJ-50V331MH7E-1 ELNA SMD or Through Hole | RJJ-50V331MH7E-1.pdf |