창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RC3216J432CS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RC Series Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Chip Resistor RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Chip Resistors and Arrays | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | RC | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 4.3k | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1276-5923-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RC3216J432CS | |
| 관련 링크 | RC3216J, RC3216J432CS 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | ECJ-0EC1H151J | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EC1H151J.pdf | |
![]() | P51-750-S-U-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-S-U-D-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | GX-8MB-R | Inductive Proximity Sensor 0.031" (0.8mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | GX-8MB-R.pdf | |
![]() | 660GH-45 | 660GH-45 HINODE SMD or Through Hole | 660GH-45.pdf | |
![]() | SF-3R3-S104Z | SF-3R3-S104Z ST 5KR | SF-3R3-S104Z.pdf | |
![]() | TMS27C291-45JL | TMS27C291-45JL TEXAS DIP | TMS27C291-45JL.pdf | |
![]() | H5DU2562GFR-E3C | H5DU2562GFR-E3C HYNIX SMD or Through Hole | H5DU2562GFR-E3C.pdf | |
![]() | PT7M7809LT | PT7M7809LT PTI SOT-23 | PT7M7809LT.pdf | |
![]() | TDA95012 | TDA95012 ST TO220-5 | TDA95012.pdf | |
![]() | CA91C078A | CA91C078A TUNDRA QFP | CA91C078A.pdf | |
![]() | HAW10-220D12B7 | HAW10-220D12B7 ANSJ DIP6 | HAW10-220D12B7.pdf | |
![]() | T25FR-C | T25FR-C PANDUIT SMD or Through Hole | T25FR-C.pdf |