창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RC1608F6653CS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RC Series Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Chip Resistor RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Chip Resistors and Arrays | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | RC | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 665k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0603 | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 | 0.022"(0.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1276-4912-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RC1608F6653CS | |
| 관련 링크 | RC1608F, RC1608F6653CS 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | UEP0J331MPD | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UEP0J331MPD.pdf | |
![]() | C1210X683K1RAC7800 | 0.068µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.130" L x 0.102" W(3.30mm x 2.60mm) | C1210X683K1RAC7800.pdf | |
![]() | TACL105M010XBJ | 1µF Molded Tantalum Capacitors 10V 0603 (1608 Metric) 7.5 Ohm 0.063" L x 0.033" W (1.60mm x 0.85mm) | TACL105M010XBJ.pdf | |
![]() | 445A3XH20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XH20M00000.pdf | |
![]() | ERJ-1TYF101U | RES SMD 100 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TYF101U.pdf | |
![]() | ADSST-MEL-100 | ADSST-MEL-100 AD BGA | ADSST-MEL-100.pdf | |
![]() | MSA-0686-TR1 +/A06 | MSA-0686-TR1 +/A06 AVAGO/ SMD | MSA-0686-TR1 +/A06.pdf | |
![]() | MADE IN MEXICO | MADE IN MEXICO ORIGINAL AUCDIP | MADE IN MEXICO.pdf | |
![]() | TMCSC1V155 | TMCSC1V155 HITACHI SMD | TMCSC1V155.pdf | |
![]() | WR-L30PB-VF50-1-E1300 | WR-L30PB-VF50-1-E1300 JAE SMD or Through Hole | WR-L30PB-VF50-1-E1300.pdf | |
![]() | TLK4120IZPV | TLK4120IZPV TI BGA | TLK4120IZPV.pdf |