창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RC1608F3R3CS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RC Series Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Chip Resistor RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Chip Resistors and Arrays | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | RC | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 3.3 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±300ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0603 | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 | 0.022"(0.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1276-4481-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RC1608F3R3CS | |
| 관련 링크 | RC1608F, RC1608F3R3CS 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | MALREKB00DD268L00K | 68µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.56 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALREKB00DD268L00K.pdf | |
![]() | 251R14S4R7BV4T | 4.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S4R7BV4T.pdf | |
![]() | KTR10EZPJ394 | RES SMD 390K OHM 5% 1/8W 0805 | KTR10EZPJ394.pdf | |
![]() | CRA04S083750KJTD | RES ARRAY 4 RES 750K OHM 0804 | CRA04S083750KJTD.pdf | |
| ACC-ZDB5101-U2 | DEVELOPMENT BOARD W/ ZM5101 | ACC-ZDB5101-U2.pdf | ||
![]() | TLZ5V6B | TLZ5V6B VISHAY LL34 | TLZ5V6B.pdf | |
![]() | AD736ARZ-RL | AD736ARZ-RL ADI SOIC-8 | AD736ARZ-RL.pdf | |
![]() | QS3383QX | QS3383QX QS SSOP | QS3383QX.pdf | |
![]() | RVRC1520C | RVRC1520C ORIGINAL SMD or Through Hole | RVRC1520C.pdf | |
![]() | MT47H256M4BT-5E:A TR | MT47H256M4BT-5E:A TR MicronTechnologyInc 92-FBGA | MT47H256M4BT-5E:A TR.pdf | |
![]() | LA75520NVA-B-TLM-E | LA75520NVA-B-TLM-E SANYO TSSOP | LA75520NVA-B-TLM-E.pdf | |
![]() | BAR66 E6327 SOT23-PM | BAR66 E6327 SOT23-PM INFINEON SOT-23 | BAR66 E6327 SOT23-PM.pdf |