창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RC1210JR-073M6L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Thick Film Chip Resistor Intro Chip Resistor Marking RC Series, L Suffix Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Chip Resistor | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | RC | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 3.6M | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 내습성 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1210 | |
크기/치수 | 0.122" L x 0.102" W(3.10mm x 2.60mm) | |
높이 | 0.024"(0.60mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RC1210JR-073M6L | |
관련 링크 | RC1210JR-, RC1210JR-073M6L 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
![]() | 416F38412ADR | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412ADR.pdf | |
![]() | Y17581M00000T0L | RES 1M OHM 1.1W 0.01% AXIAL | Y17581M00000T0L.pdf | |
![]() | NLA8Z | NLA8Z ANALOGLC QFN | NLA8Z.pdf | |
![]() | B140XW01-V6 | B140XW01-V6 AUO SMD or Through Hole | B140XW01-V6.pdf | |
![]() | RN412ESTTE5R60F50 | RN412ESTTE5R60F50 KOA SMD or Through Hole | RN412ESTTE5R60F50.pdf | |
![]() | C1005X5R0J224KT000F | C1005X5R0J224KT000F TDK SMD or Through Hole | C1005X5R0J224KT000F.pdf | |
![]() | AMS1117DT28TR | AMS1117DT28TR AMS TO-252DPAKCuWire | AMS1117DT28TR.pdf | |
![]() | TPA6135A2RTETG4 | TPA6135A2RTETG4 TI/BB WQFN16 | TPA6135A2RTETG4.pdf | |
![]() | VY22183B2 | VY22183B2 VLSI QFP208P | VY22183B2.pdf | |
![]() | DBS135NP-151M | DBS135NP-151M COILS SMD | DBS135NP-151M.pdf | |
![]() | KS58002E | KS58002E SAMSUNG DIP | KS58002E.pdf | |
![]() | 0603Y203KXJAC54 | 0603Y203KXJAC54 VISHAY SMD or Through Hole | 0603Y203KXJAC54.pdf |