창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RC0402JR-079R1L 0402 9.1R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RC0402JR-079R1L 0402 9.1R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RC0402JR-079R1L 0402 9.1R | |
| 관련 링크 | RC0402JR-079R1L, RC0402JR-079R1L 0402 9.1R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C1812W334KCRACTU | 0.33µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812W334KCRACTU.pdf | |
| NS12575T221MNV | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 1.35A 294 mOhm Max Nonstandard | NS12575T221MNV.pdf | ||
![]() | DRA73-330-R | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 183 mOhm Nonstandard | DRA73-330-R.pdf | |
![]() | ISC1210EB22NK | 22nH Shielded Wirewound Inductor 640mA 150 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EB22NK.pdf | |
![]() | P9NC65FP | P9NC65FP C DIP | P9NC65FP.pdf | |
![]() | MB428 | MB428 FUJ SMD or Through Hole | MB428.pdf | |
![]() | ATMLU726-D2B | ATMLU726-D2B ATMEL DIP-8 | ATMLU726-D2B.pdf | |
![]() | KS57C5404-21 | KS57C5404-21 SAMSUNG DIP | KS57C5404-21.pdf | |
![]() | CSACS24.00MX | CSACS24.00MX MUR CERAMIC-RESONATOR | CSACS24.00MX.pdf | |
![]() | NPIS30R180MTRF | NPIS30R180MTRF NIC SMD | NPIS30R180MTRF.pdf | |
![]() | ZS2100AE | ZS2100AE ZISUN SOT23-3 | ZS2100AE.pdf | |
![]() | CSTCW20MX51-R0 | CSTCW20MX51-R0 MURATA SMD or Through Hole | CSTCW20MX51-R0.pdf |