창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RBR5L40ATE25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RBR5L40A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 -평균 정류(Io) | 5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 530mV @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 40V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | PMDS | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | RBR5L40ATE25TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RBR5L40ATE25 | |
관련 링크 | RBR5L40, RBR5L40ATE25 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CC0603JRNPO0BN181 | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRNPO0BN181.pdf | |
NRS5012T3R3MMGF | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 192 mOhm Max 2005 (5012 Metric) | NRS5012T3R3MMGF.pdf | ||
![]() | PAT0805E9092BST1 | RES SMD 90.9K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E9092BST1.pdf | |
![]() | 0402F 976K | 0402F 976K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402F 976K.pdf | |
![]() | XL-3132 | XL-3132 ORIGINAL PGA | XL-3132.pdf | |
![]() | TCM1210G-900-2P | TCM1210G-900-2P TDK SMD or Through Hole | TCM1210G-900-2P.pdf | |
![]() | TI15(AXK) | TI15(AXK) TI SMD or Through Hole | TI15(AXK).pdf | |
![]() | HDSP5603GREEN | HDSP5603GREEN ORIGINAL SMD or Through Hole | HDSP5603GREEN.pdf | |
![]() | MBM29DL800BT-70PBT | MBM29DL800BT-70PBT FUJITSU FBGA-48 | MBM29DL800BT-70PBT.pdf | |
![]() | QG82915GSL8AT | QG82915GSL8AT INTEL SMD or Through Hole | QG82915GSL8AT.pdf | |
![]() | SIM-SF-6P-2.9-E1000 | SIM-SF-6P-2.9-E1000 MIT SMD or Through Hole | SIM-SF-6P-2.9-E1000.pdf | |
![]() | MRSS21 / A17 | MRSS21 / A17 ORIGINAL SOT-23 | MRSS21 / A17.pdf |