창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RBR3L30ATE25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RBR3L30A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | PMDS | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | RBR3L30ATE25TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RBR3L30ATE25 | |
관련 링크 | RBR3L30, RBR3L30ATE25 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A222JBGAT4X | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A222JBGAT4X.pdf | |
![]() | B32928E3256M | 25µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP) Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | B32928E3256M.pdf | |
![]() | 591ED-DDG | 525MHz ~ 810MHz LVPECL XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 125mA Enable/Disable | 591ED-DDG.pdf | |
![]() | MUR2020CT | MUR2020CT IR SMD or Through Hole | MUR2020CT.pdf | |
![]() | THD61E1C687M | THD61E1C687M NIPPON DIP | THD61E1C687M.pdf | |
![]() | BOAZ DAISYCHAIN | BOAZ DAISYCHAIN ORIGINAL QFN | BOAZ DAISYCHAIN.pdf | |
![]() | 15C02MH | 15C02MH SANYO MCPH3 | 15C02MH.pdf | |
![]() | 80960 | 80960 ORIGINAL BGA | 80960.pdf | |
![]() | SMV1135-011 | SMV1135-011 ALPHA SOD-323 | SMV1135-011.pdf | |
![]() | G3ATB201M | G3ATB201M TOCOS SMD or Through Hole | G3ATB201M.pdf | |
![]() | 4308TC-335XJBD | 4308TC-335XJBD ORIGINAL SMD or Through Hole | 4308TC-335XJBD.pdf | |
![]() | DS1356W-100 | DS1356W-100 DALLAS DIP | DS1356W-100.pdf |