창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RBE2VAM20ATR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RBE2VAM20A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 460mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700µA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2M | |
| 작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RBE2VAM20ATRTR RBE2VAM20ATRTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RBE2VAM20ATR | |
| 관련 링크 | RBE2VAM, RBE2VAM20ATR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383220200JC02Z0 | 2000pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP383220200JC02Z0.pdf | |
![]() | 402F160XXCAT | 16MHz ±15ppm 수정 10pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F160XXCAT.pdf | |
![]() | 416F44022IKT | 44MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44022IKT.pdf | |
![]() | CP1SA-12V-X | Automotive Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Surface Mount | CP1SA-12V-X.pdf | |
![]() | ERJ-L03UJ93MV | RES SMD 0.093 OHM 5% 1/5W 0603 | ERJ-L03UJ93MV.pdf | |
![]() | 54S20/BCA | 54S20/BCA S CDIP14 | 54S20/BCA.pdf | |
![]() | JAN2N3715 | JAN2N3715 MOTOROLA TO-3 | JAN2N3715.pdf | |
![]() | H8ACS0CE0BBR-36M-C | H8ACS0CE0BBR-36M-C Hynix SMD or Through Hole | H8ACS0CE0BBR-36M-C.pdf | |
![]() | NP34N055IHE | NP34N055IHE NEC TO-252 | NP34N055IHE.pdf | |
![]() | 103908-1 | 103908-1 TYCO SMD or Through Hole | 103908-1.pdf | |
![]() | BB506CES-TL-E | BB506CES-TL-E RENESAS SOT343 | BB506CES-TL-E.pdf |