창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RB421DT146 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RB421D | |
| 제품 교육 모듈 | Diodes Overview | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 100mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 100mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 10V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 6pF @ 10V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SMD3 | |
| 작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RB421DT146-ND RB421DT146TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RB421DT146 | |
| 관련 링크 | RB421D, RB421DT146 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B41890A6567M | 560µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 50 mOhm @ 10kHz 15000 Hrs @ 105°C | B41890A6567M.pdf | |
![]() | 405C11A26M00000 | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C11A26M00000.pdf | |
![]() | CMF6043R200FHEB | RES 43.2 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6043R200FHEB.pdf | |
![]() | TLC594C | TLC594C TEXAS SOP16 | TLC594C.pdf | |
![]() | ECQE1A123KF | ECQE1A123KF panasonic DIP | ECQE1A123KF.pdf | |
![]() | EU02JGF | EU02JGF gulf SMD or Through Hole | EU02JGF.pdf | |
![]() | 1SS97. | 1SS97. NEC SMD or Through Hole | 1SS97..pdf | |
![]() | SCD0403T-6R8M-N | SCD0403T-6R8M-N YAGEO SMD or Through Hole | SCD0403T-6R8M-N.pdf | |
![]() | MB15E64UVPVB-G-ER2 | MB15E64UVPVB-G-ER2 FUJITSU QFN | MB15E64UVPVB-G-ER2.pdf | |
![]() | WD99006 | WD99006 ORIGINAL SMD or Through Hole | WD99006.pdf | |
![]() | DM1800-916M | DM1800-916M RFM SMD or Through Hole | DM1800-916M.pdf |