창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RAQ045P01TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RAQ045P01 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RAQ045P01TCRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RAQ045P01TCR | |
| 관련 링크 | RAQ045P, RAQ045P01TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TE1301-E3 | 2µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | TE1301-E3.pdf | |
![]() | VJ0805D5R6DLAAP | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R6DLAAP.pdf | |
![]() | RG2012P-273-D-T5 | RES SMD 27K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-273-D-T5.pdf | |
![]() | 59025-4-T-03-F | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NC Wire Leads Probe | 59025-4-T-03-F.pdf | |
![]() | CX23412-11 | CX23412-11 CONEXANT BGA | CX23412-11.pdf | |
![]() | M65849 | M65849 MITUSBISHI SOP | M65849.pdf | |
![]() | 128B . | 128B . AT&T DIP24 | 128B ..pdf | |
![]() | SCX6206EBA | SCX6206EBA NS PLCC | SCX6206EBA.pdf | |
![]() | DG49AB8660S | DG49AB8660S ORIGINAL SMD or Through Hole | DG49AB8660S.pdf | |
![]() | TLMT3100-GS08 | TLMT3100-GS08 VISHAY SMD | TLMT3100-GS08.pdf | |
![]() | 93lc56b-p | 93lc56b-p microchip SMD or Through Hole | 93lc56b-p.pdf |