창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-RA662ASIW | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | RA662ASIW | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | RA662ASIW | |
관련 링크 | RA662, RA662ASIW 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
FK24X7R1C105K | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.177" W(5.50mm x 4.50mm) | FK24X7R1C105K.pdf | ||
CL0306KRX7R6BB104 | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0306(0816 미터법) 0.031" L x 0.063" W(0.80mm x 1.60mm) | CL0306KRX7R6BB104.pdf | ||
VJ0805D2R1DLPAJ | 2.1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R1DLPAJ.pdf | ||
SIT3821AI-2C-25NX | 1MHz ~ 220MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA | SIT3821AI-2C-25NX.pdf | ||
EGL41DHE3/97 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | EGL41DHE3/97.pdf | ||
CA45A B 3.3UF 10V M | CA45A B 3.3UF 10V M TASUND SMD or Through Hole | CA45A B 3.3UF 10V M.pdf | ||
TS2 | TS2 ORIGINAL SOP10 | TS2.pdf | ||
BA4425F (4425) | BA4425F (4425) ROHM SOP-8P | BA4425F (4425).pdf | ||
BS62LV4006TIP70 | BS62LV4006TIP70 BSI TSOP32 | BS62LV4006TIP70.pdf | ||
CG6708AMT | CG6708AMT Cypress NA | CG6708AMT.pdf | ||
N74F126D | N74F126D PHI SOP3.9 | N74F126D.pdf |