- R8A77850BDBGV-WS1
- 제조업체 부품 번호
- R8A77850BDBGV-WS1
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- R8A77850BDBGV-WS1 RENESA SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
R8A77850BDBGV-WS1 가격 및 조달
가능 수량
124850 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 R8A77850BDBGV-WS1 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. R8A77850BDBGV-WS1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. R8A77850BDBGV-WS1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- R8A77850BDBGV-WS1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
R8A77850BDBGV-WS1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-R8A77850BDBGV-WS1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | R8A77850BDBGV-WS1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | R8A77850BDBGV-WS1 | |
| 관련 링크 | R8A77850BD, R8A77850BDBGV-WS1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
R8A77850BDBGV-WS1 의 관련 제품
 | MP101 | 10MHz ±30ppm 수정 30pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | MP101.pdf | |
 | ATS050ASM-1 | 5MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS050ASM-1.pdf | |
 | ELJ-QF7N5JF | 7.5nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 330 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-QF7N5JF.pdf | |
| MBA02040C9093FC100 | RES 909K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C9093FC100.pdf | |
| IC61C1024AL-12J | IC61C1024AL-12J ICSI SOJ32 | IC61C1024AL-12J.pdf | |
| R1LP0408CSB5SCB0 | R1LP0408CSB5SCB0 renesas SMD or Through Hole | R1LP0408CSB5SCB0.pdf | |
| 447031 | 447031 NS DIP-20 | 447031.pdf | |
| CMAD4448 | CMAD4448 Central SOD923 | CMAD4448.pdf | |
| TPS54910PWPR(PB FREE) | TPS54910PWPR(PB FREE) TI TSSOP-28 | TPS54910PWPR(PB FREE).pdf | |
| GD74HC240 | GD74HC240 GS SMD or Through Hole | GD74HC240.pdf | |
| H11FX.5372 | H11FX.5372 QTC DIP6 | H11FX.5372.pdf | |
| 18085P 3000V | 18085P 3000V ORIGINAL SMD or Through Hole | 18085P 3000V.pdf |