창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R8010ANX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R8010ANX | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | R8010ANXCT R8010ANXCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R8010ANX | |
| 관련 링크 | R801, R8010ANX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AB-3.6864MHZ-B2 | 3.6864MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-3.6864MHZ-B2.pdf | |
![]() | FXO-HC335-66.66 | 66.66MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC335-66.66.pdf | |
![]() | 2SA1673 | TRANS PNP 180V 15A TO3PF | 2SA1673.pdf | |
![]() | RMCF0805FT16R5 | RES SMD 16.5 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT16R5.pdf | |
![]() | MHW8222T | MHW8222T HL SMD or Through Hole | MHW8222T.pdf | |
![]() | MT3406-ADJ | MT3406-ADJ MT SOT23-5 | MT3406-ADJ.pdf | |
![]() | C200H-CN222 | C200H-CN222 ORIGINAL SMD or Through Hole | C200H-CN222.pdf | |
![]() | HM9103D | HM9103D NIKO SOT223 | HM9103D.pdf | |
![]() | LM317LMX* | LM317LMX* NS SOIC8 | LM317LMX*.pdf | |
![]() | KIA556P | KIA556P SAMSUNG DIP | KIA556P.pdf | |
![]() | SN75446 | SN75446 TI DIP8 | SN75446.pdf | |
![]() | 430201801 | 430201801 MOLEX Original Package | 430201801.pdf |