창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R8008ANX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R8008ANX | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.03옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R8008ANX | |
| 관련 링크 | R800, R8008ANX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 3483R-220M | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 1mA 150 mOhm Max 2-SMD | 3483R-220M.pdf | |
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![]() | ELM9927A-S(N) | ELM9927A-S(N) ELM sot | ELM9927A-S(N).pdf | |
![]() | 6MBP30RA060 | 6MBP30RA060 FUJI SMD or Through Hole | 6MBP30RA060.pdf | |
![]() | RN5VL42AA-TR/D2 | RN5VL42AA-TR/D2 RICOH SOT-153 | RN5VL42AA-TR/D2.pdf | |
![]() | SM532023172F6BA/KM416S1120D | SM532023172F6BA/KM416S1120D SMA DIMM | SM532023172F6BA/KM416S1120D.pdf | |
![]() | TDK71K222U-IH | TDK71K222U-IH ORIGINAL SMD or Through Hole | TDK71K222U-IH.pdf | |
![]() | HD6433045SV22F | HD6433045SV22F HIT QFP | HD6433045SV22F.pdf | |
![]() | JD1S95001 | JD1S95001 NDK SMD or Through Hole | JD1S95001.pdf | |
![]() | WL2E107M1631MBB180 | WL2E107M1631MBB180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL2E107M1631MBB180.pdf |