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Rohm Semiconductor R8002ANX

R8002ANX
제조업체 부품 번호
R8002ANX
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
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내부 부품 번호EIS-R8002ANX
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서R8002ANX
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.3옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds210pF @ 25V
전력 - 최대35W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220FM
표준 포장 500
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)R8002ANX
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