창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R6076ENZ1C9 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | R6076ENZ1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 44.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 450 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | R6076ENZ1C9 | |
관련 링크 | R6076E, R6076ENZ1C9 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
VLZ3V9-GS08 | DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80 | VLZ3V9-GS08.pdf | ||
RT2010FKE07182KL | RES SMD 182K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE07182KL.pdf | ||
KU01 G20 BLANC | KU01 G20 BLANC NEXANS Call | KU01 G20 BLANC.pdf | ||
W48S68-01-H | W48S68-01-H WINBOND SOP | W48S68-01-H.pdf | ||
NC12KC0101 | NC12KC0101 AVX SMD | NC12KC0101.pdf | ||
SAFEB881MFL0F55R14 | SAFEB881MFL0F55R14 MURATA LCC | SAFEB881MFL0F55R14.pdf | ||
MI4412 | MI4412 N/A SOP8 | MI4412.pdf | ||
DRV8312-C2-KIT | DRV8312-C2-KIT TexasInstruments BOARD | DRV8312-C2-KIT.pdf | ||
AS-1311C3A2-C4 | AS-1311C3A2-C4 Alder SMD or Through Hole | AS-1311C3A2-C4.pdf | ||
LP3910SQ-AA | LP3910SQ-AA NSC LLP | LP3910SQ-AA.pdf | ||
M5830 | M5830 OKI DIP | M5830.pdf | ||
PQD100ZGE-A | PQD100ZGE-A ORIGINAL SMD or Through Hole | PQD100ZGE-A.pdf |