창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6046FNZ1C9 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6046FNZ1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6230pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 450 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6046FNZ1C9 | |
| 관련 링크 | R6046F, R6046FNZ1C9 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B32652A104J289 | 0.1µF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.354" W (18.00mm x 9.00mm) | B32652A104J289.pdf | |
![]() | 9C-26.000MAAJ-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-26.000MAAJ-T.pdf | |
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![]() | DT06-12SD | DT06-12SD DEUTSCH SMD or Through Hole | DT06-12SD.pdf | |
![]() | K4S1G0732D-UC75 | K4S1G0732D-UC75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S1G0732D-UC75.pdf | |
![]() | C1005JB1E333K | C1005JB1E333K TDK SMD | C1005JB1E333K.pdf | |
![]() | NJM2100M-TE2-#ZZZB | NJM2100M-TE2-#ZZZB NJRC SMD or Through Hole | NJM2100M-TE2-#ZZZB.pdf | |
![]() | UPD62MC-757-5A4-E1 | UPD62MC-757-5A4-E1 NEC SOP | UPD62MC-757-5A4-E1.pdf | |
![]() | R25G181JT | R25G181JT CAP RES | R25G181JT.pdf |