홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » R6035ENZ1C9

Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9
제조업체 부품 번호
R6035ENZ1C9
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
데이터 시트 다운로드
다운로드
R6035ENZ1C9 가격 및 조달

가능 수량

8928 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,079.41000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 R6035ENZ1C9 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. R6035ENZ1C9 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. R6035ENZ1C9가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
R6035ENZ1C9 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
R6035ENZ1C9 매개 변수
내부 부품 번호EIS-R6035ENZ1C9
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서R6035ENZ1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C35A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs102m옴 @ 18.1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs110nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2720pF @ 25V
전력 - 최대120W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 450
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)R6035ENZ1C9
관련 링크R6035E, R6035ENZ1C9 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
R6035ENZ1C9 의 관련 제품
9.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C919C5GACTU.pdf
DL-6FPC EMI SMD or Through Hole DL-6FPC.pdf
MMSZ4715T1/36V ON 1206-36V MMSZ4715T1/36V.pdf
MIP3E30MPSCF ORIGINAL DIP-7 MIP3E30MPSCF.pdf
S1M-ES/11T VISHAY SMD or Through Hole S1M-ES/11T.pdf
AAAU MAXIM SMD16 AAAU.pdf
2SD1616AL(ROHS) UTC TO-92 2SD1616AL(ROHS).pdf
TC1413COA713 MCHIP SMD or Through Hole TC1413COA713.pdf
51-08676Z01 ALPINE TQFP 51-08676Z01.pdf
AWM5101VC HONEYWELL SMD or Through Hole AWM5101VC.pdf
FK22X7R2E474M TDK SMD FK22X7R2E474M.pdf
MBM100GR140 HIT SMD or Through Hole MBM100GR140.pdf