창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6020ENZ1C9 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6020ENZ1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 196m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 450 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6020ENZ1C9 | |
| 관련 링크 | R6020E, R6020ENZ1C9 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805BRD076K49L | RES SMD 6.49K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD076K49L.pdf | |
![]() | CMF55100R00FKEK | RES 100 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55100R00FKEK.pdf | |
![]() | PAL22V10Q-25JC | PAL22V10Q-25JC ORIGINAL SMD or Through Hole | PAL22V10Q-25JC.pdf | |
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![]() | MCT1211SC | MCT1211SC MIT DIP | MCT1211SC.pdf | |
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![]() | MD82C284-101B | MD82C284-101B ORIGINAL SMD or Through Hole | MD82C284-101B.pdf | |
![]() | SG1201 5.2/883B | SG1201 5.2/883B SG CAN3 | SG1201 5.2/883B.pdf | |
![]() | LU82551IT860607 | LU82551IT860607 intel SMD or Through Hole | LU82551IT860607.pdf |