창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6020ENZ1C9 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6020ENZ1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 196m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 450 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6020ENZ1C9 | |
| 관련 링크 | R6020E, R6020ENZ1C9 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GJM1555C1H8R8CB01D | 8.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H8R8CB01D.pdf | |
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![]() | 05-081100 | 05-081100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 05-081100.pdf | |
![]() | XC2S200-5CPQ208 | XC2S200-5CPQ208 XILINX QFP | XC2S200-5CPQ208.pdf | |
![]() | S74FCT2X373 | S74FCT2X373 ORIGINAL SSOP-40 | S74FCT2X373.pdf | |
![]() | LT694CS8+ | LT694CS8+ LT SOP-8 | LT694CS8+.pdf | |
![]() | UPD703210YGC-117-8BT-A/721 | UPD703210YGC-117-8BT-A/721 NEC QFP80 | UPD703210YGC-117-8BT-A/721.pdf | |
![]() | 1812-1.18M | 1812-1.18M ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-1.18M.pdf | |
![]() | CJ78M08(0.5A) | CJ78M08(0.5A) CJ TO-252 | CJ78M08(0.5A).pdf |