창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6012FNJTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6012FNJ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 510m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS(SC-83) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | R6012FNJTLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6012FNJTL | |
| 관련 링크 | R6012F, R6012FNJTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MAL210148333E3 | 33000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 9 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL210148333E3.pdf | |
![]() | RCP0603W1K10JEA | RES SMD 1.1K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W1K10JEA.pdf | |
![]() | TCSCS1E156MCAR | TCSCS1E156MCAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS1E156MCAR.pdf | |
![]() | S29AL032070TFI00 | S29AL032070TFI00 SPANSION TSOP | S29AL032070TFI00.pdf | |
![]() | M65408-0001BWG | M65408-0001BWG SUN BGA | M65408-0001BWG.pdf | |
![]() | ISP12160A 2405213 | ISP12160A 2405213 QLOGIC BGA | ISP12160A 2405213.pdf | |
![]() | TPS75901KTTT-ND | TPS75901KTTT-ND TI SMD or Through Hole | TPS75901KTTT-ND.pdf | |
![]() | ETFV14K130 | ETFV14K130 EPCOS NA | ETFV14K130.pdf | |
![]() | COP888CL | COP888CL NS SMD or Through Hole | COP888CL.pdf | |
![]() | MYG07-330 | MYG07-330 ORIGINAL SMD or Through Hole | MYG07-330.pdf | |
![]() | NQ88CGMU QR51ES | NQ88CGMU QR51ES INTEL BGA | NQ88CGMU QR51ES.pdf | |
![]() | LZ-12WM-HV | LZ-12WM-HV NEC NULL | LZ-12WM-HV.pdf |