창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6011ENX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6011ENX | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 390m옴 @ 3.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | R6011ENXCT R6011ENXCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6011ENX | |
| 관련 링크 | R601, R6011ENX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C369C2GACTU | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C369C2GACTU.pdf | |
![]() | 2225SC102KAT1A | 1000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225SC102KAT1A.pdf | |
![]() | TARW336M010 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 10V Axial 2.1 Ohm 0.169" Dia x 0.409" L (4.30mm x 10.40mm) | TARW336M010.pdf | |
![]() | 416F400X3CDT | 40MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400X3CDT.pdf | |
![]() | MPL918JG | MPL918JG TI CDIP | MPL918JG.pdf | |
![]() | CLY02E6327 | CLY02E6327 INFINEON SMD or Through Hole | CLY02E6327.pdf | |
![]() | MAX693CWE-T | MAX693CWE-T MAXIM SOP | MAX693CWE-T.pdf | |
![]() | UPD416C-1 | UPD416C-1 NEC DIP | UPD416C-1.pdf | |
![]() | PMI56 | PMI56 PMI CDIP | PMI56.pdf | |
![]() | MA207C | MA207C TI SSOP | MA207C.pdf | |
![]() | IX07120EN1 | IX07120EN1 ORIGINAL SMD or Through Hole | IX07120EN1.pdf | |
![]() | CE2210A-LZ-4-44.736 | CE2210A-LZ-4-44.736 RALTR SMD or Through Hole | CE2210A-LZ-4-44.736.pdf |