창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6007ENX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6007ENX | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | R6007ENXCT R6007ENXCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6007ENX | |
| 관련 링크 | R600, R6007ENX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | S0402-47NF2D | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 830 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-47NF2D.pdf | |
![]() | MCR18ERTF7320 | RES SMD 732 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF7320.pdf | |
![]() | EPM3512AFC256-5C | EPM3512AFC256-5C ALTERA BGA | EPM3512AFC256-5C.pdf | |
![]() | U3021- | U3021- ORIGINAL DIP8 | U3021-.pdf | |
![]() | U2786BAFSG3 | U2786BAFSG3 tfk INSTOCKPACK4000 | U2786BAFSG3.pdf | |
![]() | FX029D5 | FX029D5 CML SSOP24 | FX029D5.pdf | |
![]() | CY7C4851-15AI | CY7C4851-15AI Cypress QFP | CY7C4851-15AI.pdf | |
![]() | DP8390AV | DP8390AV NS PLCC | DP8390AV.pdf | |
![]() | AT24C512R-90RC | AT24C512R-90RC ORIGINAL SOP | AT24C512R-90RC.pdf | |
![]() | 2SA1954(A/B) | 2SA1954(A/B) TOSHIBA SOT-323 | 2SA1954(A/B).pdf | |
![]() | LM2598T50NOPB | LM2598T50NOPB nsc SMD or Through Hole | LM2598T50NOPB.pdf | |
![]() | N1OP-GLM-A3 | N1OP-GLM-A3 NVIDIA BGA | N1OP-GLM-A3.pdf |