창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6007ENJTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6007ENJ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS(SC-83) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | R6007ENJTLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6007ENJTL | |
| 관련 링크 | R6007E, R6007ENJTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FG18C0G2A330JNT06 | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG18C0G2A330JNT06.pdf | |
![]() | SR072A330JARTR1 | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR072A330JARTR1.pdf | |
![]() | MCM01-001ED830G-F | 83pF Mica Capacitor 500V Nonstandard SMD 0.460" L x 0.400" W (11.68mm x 10.16mm) | MCM01-001ED830G-F.pdf | |
![]() | RMCF1210FT324R | RES SMD 324 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCF1210FT324R.pdf | |
![]() | CMF5526K100FKEB70 | RES 26.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5526K100FKEB70.pdf | |
![]() | DC95Y103Z | NTC Thermistor 10k Bead | DC95Y103Z.pdf | |
![]() | HMS99C52S | HMS99C52S HYNIX SMD or Through Hole | HMS99C52S.pdf | |
![]() | C3225JB1C226M | C3225JB1C226M TDK SMD or Through Hole | C3225JB1C226M.pdf | |
![]() | AP1501K5LA-SS | AP1501K5LA-SS AC TO-263-5 | AP1501K5LA-SS.pdf | |
![]() | W196GT | W196GT CY SOP28 | W196GT.pdf | |
![]() | LN277CALX | LN277CALX PANASONIC ROHS | LN277CALX.pdf | |
![]() | IHSM-5832-10UH | IHSM-5832-10UH VishayIntertechno SMD or Through Hole | IHSM-5832-10UH.pdf |