창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6004ENDTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6004END | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 980m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | R6004ENDTLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6004ENDTL | |
| 관련 링크 | R6004E, R6004ENDTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37412IDT | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37412IDT.pdf | |
![]() | RR1220P-1543-D-M | RES SMD 154K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-1543-D-M.pdf | |
![]() | TV21B475K10AT | TV21B475K10AT KYOCERA SMD or Through Hole | TV21B475K10AT.pdf | |
![]() | CD22M 3493Q | CD22M 3493Q ORIGINAL PLCC | CD22M 3493Q.pdf | |
![]() | GY4G0302-AG | GY4G0302-AG ORIGINAL SMD or Through Hole | GY4G0302-AG.pdf | |
![]() | T74LS37B1 | T74LS37B1 SGS DIP | T74LS37B1.pdf | |
![]() | 91M40800-33AU | 91M40800-33AU ATMEL TQFP | 91M40800-33AU.pdf | |
![]() | TE28F320B3BA-100 (PROG) | TE28F320B3BA-100 (PROG) INTEL SMD or Through Hole | TE28F320B3BA-100 (PROG).pdf | |
![]() | EP610DI-10 | EP610DI-10 ALTERA DIP | EP610DI-10.pdf | |
![]() | DC-306 | DC-306 ORIGINAL SMD or Through Hole | DC-306.pdf | |
![]() | RH03A3CN3X01A | RH03A3CN3X01A ORIGINAL SMD or Through Hole | RH03A3CN3X01A.pdf | |
![]() | PT22A220B | PT22A220B TYCO DIP | PT22A220B.pdf |