창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-R5F61642GD50BGV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | R5F61642GD50BGV | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | R5F61642GD50BGV | |
관련 링크 | R5F61642G, R5F61642GD50BGV 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
ABM8-25.000MHZ-10-D1G-T | 25MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-25.000MHZ-10-D1G-T.pdf | ||
GL180F35CDT | 18MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL180F35CDT.pdf | ||
SCRH5D28R-180 | 18µH Shielded Inductor 1.76A 101.5 mOhm Max Nonstandard | SCRH5D28R-180.pdf | ||
ADP3339AKCZ-3.3-RL | ADP3339AKCZ-3.3-RL AD SMD or Through Hole | ADP3339AKCZ-3.3-RL.pdf | ||
F640S | F640S IR TO-263 | F640S.pdf | ||
PTSB43AB21A | PTSB43AB21A TI TQFP | PTSB43AB21A.pdf | ||
LMNP05DB2R2M03 | LMNP05DB2R2M03 ORIGINAL SMD or Through Hole | LMNP05DB2R2M03.pdf | ||
EEE1HA220WAP | EEE1HA220WAP Panasonic SMD or Through Hole | EEE1HA220WAP.pdf | ||
CR1/3N-VBR | CR1/3N-VBR EEMB SMD or Through Hole | CR1/3N-VBR.pdf | ||
EN25T16-75HIP | EN25T16-75HIP EON SOIC8 | EN25T16-75HIP.pdf | ||
E01A42CB | E01A42CB EPSON SMD or Through Hole | E01A42CB.pdf | ||
SMP-09V-NC | SMP-09V-NC JST SMD or Through Hole | SMP-09V-NC.pdf |