창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R46KN322040H1M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | R46 Series, High Temp | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | R46 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 0.22µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 - AC | 275V | |
정격 전압 - DC | 560V | |
유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 1.043" L x 0.236" W(26.50mm x 6.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.594"(15.10mm) | |
종단 | PC 핀 | |
리드 간격 | 0.886"(22.50mm) | |
응용 제품 | EMI, RFI 억제 | |
특징 | X2 안전 등급 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 399-12442 46KN322040H1M | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | R46KN322040H1M | |
관련 링크 | R46KN322, R46KN322040H1M 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | DA38-362MT-A21F | DA38-362MT-A21F ORIGINAL DIP | DA38-362MT-A21F.pdf | |
![]() | ST6.8VTA | ST6.8VTA ST DIP | ST6.8VTA.pdf | |
![]() | BSS84LT1(XHZ) | BSS84LT1(XHZ) ON SOT23 | BSS84LT1(XHZ).pdf | |
![]() | BU4525 | BU4525 PH TO-3P | BU4525.pdf | |
![]() | HWSA102 | HWSA102 ORIGINAL SMD or Through Hole | HWSA102.pdf | |
![]() | RN731JTTD1202B25 | RN731JTTD1202B25 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN731JTTD1202B25.pdf | |
![]() | DD2U1G667648MT3 | DD2U1G667648MT3 MemoryBay Tray | DD2U1G667648MT3.pdf | |
![]() | S3C6410 | S3C6410 SAMSUNG BGA | S3C6410.pdf | |
![]() | TSOBUV21 | TSOBUV21 ST SMD or Through Hole | TSOBUV21.pdf | |
![]() | SSM3K316FU | SSM3K316FU TOSHIBA USM(SC-70) | SSM3K316FU.pdf | |
![]() | BQ2014N | BQ2014N ORIGINAL SMD | BQ2014N.pdf | |
![]() | MSC1008C-3R3J | MSC1008C-3R3J EROCORE NA | MSC1008C-3R3J.pdf |