- R2B-10V221MG3
- 제조업체 부품 번호
- R2B-10V221MG3
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- R2B-10V221MG3 ELNA DIP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
R2B-10V221MG3 가격 및 조달
가능 수량
44410 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 R2B-10V221MG3 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. R2B-10V221MG3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. R2B-10V221MG3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- R2B-10V221MG3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
R2B-10V221MG3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-R2B-10V221MG3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | R2B-10V221MG3 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | R2B-10V221MG3 | |
| 관련 링크 | R2B-10V, R2B-10V221MG3 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
R2B-10V221MG3 의 관련 제품
 | SRR7045-181M | 180µH Shielded Wirewound Inductor 475mA 660 mOhm Max Nonstandard | SRR7045-181M.pdf | |
 | YC248-FR-071K37L | RES ARRAY 8 RES 1.37K OHM 1606 | YC248-FR-071K37L.pdf | |
| PRDC0000 | Infrared Proximity Sensor 12" (304.8mm) Module | PRDC0000.pdf | |
| KRA311E | KRA311E INFNEON SMD or Through Hole | KRA311E.pdf | |
| TMP91C640N-2251 | TMP91C640N-2251 TOSHIBA DIP64 | TMP91C640N-2251.pdf | |
| RC2512JK-7W150KL | RC2512JK-7W150KL YAGEO SMD | RC2512JK-7W150KL.pdf | |
| G960T3 | G960T3 GMT SOT-223 | G960T3.pdf | |
| TAA611T12R | TAA611T12R sgs SMD or Through Hole | TAA611T12R.pdf | |
| BUW37 | BUW37 ORIGINAL SMD or Through Hole | BUW37.pdf | |
| SSB14-101 | SSB14-101 ORIGINAL SMD or Through Hole | SSB14-101.pdf | |
| 2SA2204 | 2SA2204 SANYO TO-251 | 2SA2204.pdf | |
| 1N5270A | 1N5270A MICROSEMI SMD | 1N5270A.pdf |