창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R1B131350R0F5BT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R1B131350R0F5BT | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Anaren | |
| 계열 | R1B | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 50 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 1W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | RF, 고주파 | |
| 온도 계수 | ±300ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 0505(1313 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1313 | |
| 크기/치수 | 0.050" L x 0.050" W(1.27mm x 1.27mm) | |
| 높이 | 0.017"(0.43mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R1B131350R0F5BT | |
| 관련 링크 | R1B131350, R1B131350R0F5BT 데이터 시트, Anaren 에이전트 유통 | |
![]() | C1206C102J2GACTU | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C102J2GACTU.pdf | |
![]() | GQM1555C2D9R8WB01D | 9.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D9R8WB01D.pdf | |
![]() | 416F52025CKR | 52MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52025CKR.pdf | |
![]() | CRCW120633R0JNTB | RES SMD 33 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW120633R0JNTB.pdf | |
![]() | WW1FT18R2 | RES 18.2 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT18R2.pdf | |
![]() | 3339LF10 | 3339LF10 SAMSUNG SMD or Through Hole | 3339LF10.pdf | |
![]() | CKR11BX471KR | CKR11BX471KR AVX Axial | CKR11BX471KR.pdf | |
![]() | DS2438ZT | DS2438ZT ORIGINAL SOP | DS2438ZT.pdf | |
![]() | DA28F160SA85 | DA28F160SA85 INTEL SSOP56 | DA28F160SA85.pdf | |
![]() | K1519AB (14.503711M | K1519AB (14.503711M nichicon NULL | K1519AB (14.503711M.pdf | |
![]() | BAQ321609T-601Y-S | BAQ321609T-601Y-S ORIGINAL SMD or Through Hole | BAQ321609T-601Y-S.pdf | |
![]() | HG62G051R19F | HG62G051R19F TEAC BULK | HG62G051R19F.pdf |