창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R1170H151B-T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | R1170H151B-T1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT89-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | R1170H151B-T1 | |
| 관련 링크 | R1170H1, R1170H151B-T1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H6R8DA01D | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H6R8DA01D.pdf | |
![]() | 445I25J14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 9pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25J14M31818.pdf | |
![]() | DTA144EEBTL | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F | DTA144EEBTL.pdf | |
![]() | G3VM-401DY1 | MOS FET RELAY | G3VM-401DY1.pdf | |
![]() | HK2D108M25050HA180 | HK2D108M25050HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HK2D108M25050HA180.pdf | |
![]() | H5N3004P-E | H5N3004P-E HITACHI TO-247 | H5N3004P-E.pdf | |
![]() | WD2F144WB1 | WD2F144WB1 JAE SMD | WD2F144WB1.pdf | |
![]() | 600S0R9AT | 600S0R9AT ATC SMD or Through Hole | 600S0R9AT.pdf | |
![]() | B5C | B5C Infineon SOT0402 | B5C.pdf | |
![]() | A-28100-0024 | A-28100-0024 MLX SMD or Through Hole | A-28100-0024.pdf | |
![]() | UPD753016AGC-F28-3B9 | UPD753016AGC-F28-3B9 NEC QFP | UPD753016AGC-F28-3B9.pdf |