창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QXK2G224KTPTZH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Plastic Film, Basic Pkg Unit Plastic Film Taping Spec QXK-(ZH) Series | |
| 카탈로그 페이지 | 2066 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | QXK-ZH | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 0.22µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전압 - AC | 200V | |
| 정격 전압 - DC | 400V | |
| 유전체 소재 | 폴리에스테르, 금속화 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.807" L x 0.303" W(20.50mm x 7.70mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.547"(13.90mm) | |
| 종단 | PC 핀 | |
| 리드 간격 | 0.689"(17.50mm) | |
| 응용 제품 | 고주파, 스위칭, 고 펄스, DV/DT, EMI, RFI 억제 | |
| 특징 | - | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 493-3576 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QXK2G224KTPTZH | |
| 관련 링크 | QXK2G224, QXK2G224KTPTZH 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | SA102A121KAR | 120pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A121KAR.pdf | |
![]() | 416F48033ALR | 48MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48033ALR.pdf | |
![]() | BLF7G22L-130,118 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A | BLF7G22L-130,118.pdf | |
![]() | FQA11N70 | FQA11N70 FSC TO-3P | FQA11N70.pdf | |
![]() | SY100EPT22VKITR | SY100EPT22VKITR MIC MSOP8 | SY100EPT22VKITR.pdf | |
![]() | G104M17Z5UF5TAA-2 | G104M17Z5UF5TAA-2 PHI SMD or Through Hole | G104M17Z5UF5TAA-2.pdf | |
![]() | 561KD40 | 561KD40 RUILON DIP | 561KD40.pdf | |
![]() | BLM11HB102SDPTM00-03 | BLM11HB102SDPTM00-03 MURATA 4KREEL | BLM11HB102SDPTM00-03.pdf | |
![]() | TC74VHC595FT(EL)(P/B) | TC74VHC595FT(EL)(P/B) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74VHC595FT(EL)(P/B).pdf | |
![]() | EXBM16P222JY | EXBM16P222JY PANASONIC SMD or Through Hole | EXBM16P222JY.pdf | |
![]() | max500acwet | max500acwet maxim SMD or Through Hole | max500acwet.pdf | |
![]() | MPR-19579 | MPR-19579 SEGA DIP42 | MPR-19579.pdf |