창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS8M12TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS8M12 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | QS8M12TCRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS8M12TCR | |
| 관련 링크 | QS8M1, QS8M12TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1325-821J | 820nH Shielded Molded Inductor 435mA 300 mOhm Max Axial | 1325-821J.pdf | |
![]() | MBB02070C1873FC100 | RES 187K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1873FC100.pdf | |
![]() | CMF5548K700BERE70 | RES 48.7K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5548K700BERE70.pdf | |
![]() | CD1403GS | CD1403GS CD SIP-9 | CD1403GS.pdf | |
![]() | S2E-13-F | S2E-13-F DIODES DO-214AA | S2E-13-F.pdf | |
![]() | PB | PB ORIGINAL SOT3 | PB.pdf | |
![]() | ZP2000A1000V | ZP2000A1000V SanRexPak SMD or Through Hole | ZP2000A1000V.pdf | |
![]() | 1548Q1 | 1548Q1 TI SSOP20 | 1548Q1.pdf | |
![]() | S3P825AXZO-TWRA | S3P825AXZO-TWRA SAMSUNG 80TQFP | S3P825AXZO-TWRA.pdf | |
![]() | BYT216PIV | BYT216PIV ORIGINAL SMD or Through Hole | BYT216PIV.pdf | |
![]() | MAX6412UK31+ | MAX6412UK31+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX6412UK31+.pdf | |
![]() | MIC280-5BM6 | MIC280-5BM6 MIC SOT-23-6 | MIC280-5BM6.pdf |