창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS8M11TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | QS8M11TCRTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS8M11TCR | |
| 관련 링크 | QS8M1, QS8M11TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BK/S500-V-500-R | FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM | BK/S500-V-500-R.pdf | |
![]() | CPF0805B1M8E | RES SMD 1.8M OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B1M8E.pdf | |
![]() | RMCP2010FT12K4 | RES SMD 12.4K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT12K4.pdf | |
![]() | SM1125-ABV-G-ET | SM1125-ABV-G-ET NPC TSSOP8 | SM1125-ABV-G-ET.pdf | |
![]() | SGS10004P | SGS10004P ST TO-247 | SGS10004P.pdf | |
![]() | HVU316 TEL:82766440 | HVU316 TEL:82766440 RENESAS SMD or Through Hole | HVU316 TEL:82766440.pdf | |
![]() | C3801/40 | C3801/40 M SMD or Through Hole | C3801/40.pdf | |
![]() | PD200F140 | PD200F140 SANREX Call | PD200F140.pdf | |
![]() | LM6132AIMTR-LF | LM6132AIMTR-LF NS SMD or Through Hole | LM6132AIMTR-LF.pdf | |
![]() | IP4032CX25/LF,135 | IP4032CX25/LF,135 NXP SMD or Through Hole | IP4032CX25/LF,135.pdf | |
![]() | ES1HB-E3 | ES1HB-E3 VISHAY DO-214AC | ES1HB-E3.pdf | |
![]() | TCR406 | TCR406 NEC T0-9 | TCR406.pdf |