창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS8J2TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | QS8J2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1940pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 550mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | QS8J2TR | |
관련 링크 | QS8J, QS8J2TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | BFC247990151 | 2.7µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.551" W (30.00mm x 14.00mm) | BFC247990151.pdf | |
![]() | CPF1206B69K8E1 | RES SMD 69.8K OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B69K8E1.pdf | |
![]() | C18190 | C18190 AMIS PLCC | C18190.pdf | |
![]() | U50K | U50K ORIGINAL SOT23-5 | U50K.pdf | |
![]() | V271CA32 | V271CA32 Littelfuse SMD or Through Hole | V271CA32.pdf | |
![]() | T-7001-B3T-100 | T-7001-B3T-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | T-7001-B3T-100.pdf | |
![]() | 1778001 | 1778001 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1778001.pdf | |
![]() | TEC1761CM | TEC1761CM ORIGINAL CAN | TEC1761CM.pdf | |
![]() | 406C35B 18.43200MHZ | 406C35B 18.43200MHZ ORIGINAL SMD | 406C35B 18.43200MHZ.pdf | |
![]() | 2SC382T | 2SC382T ORIGINAL TO-92 | 2SC382T.pdf | |
![]() | NG88AGM QH70ES | NG88AGM QH70ES INTEL BGA | NG88AGM QH70ES.pdf | |
![]() | HC2V107M22025 | HC2V107M22025 samwha DIP-2 | HC2V107M22025.pdf |