Rohm Semiconductor QS8J1TR

QS8J1TR
제조업체 부품 번호
QS8J1TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
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내부 부품 번호EIS-QS8J1TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서QS8J1
주요제품MOSFET ECOMOS
카탈로그 페이지 1634 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs29m옴 @ 4.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs31nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2450pF @ 6V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지TSMT8
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)QS8J1TR
관련 링크QS8J, QS8J1TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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