창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS6U24TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | QS6U24 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 90pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | QS6U24TR | |
관련 링크 | QS6U, QS6U24TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
EKMM201VSN122MR40S | 1200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMM201VSN122MR40S.pdf | ||
SIT8008AC-13-33E-12.28800D | OSC XO 3.3V 12.288MHZ OE | SIT8008AC-13-33E-12.28800D.pdf | ||
6255-BV1.2 | 6255-BV1.2 INFINEON SMD or Through Hole | 6255-BV1.2.pdf | ||
ECEC2AA122CJ | ECEC2AA122CJ PANASONIC DIP | ECEC2AA122CJ.pdf | ||
PIC18F4320T-I/PT 229MICROCHIP | PIC18F4320T-I/PT 229MICROCHIP MICROCHIP QFP | PIC18F4320T-I/PT 229MICROCHIP.pdf | ||
SN74HC574R | SN74HC574R TI SOP | SN74HC574R.pdf | ||
DF2S5.1 | DF2S5.1 TOSHIBA SC2 | DF2S5.1.pdf | ||
GVT71256E18T-7J | GVT71256E18T-7J GALVANTECH QFP100 | GVT71256E18T-7J.pdf | ||
1008CX180MTG | 1008CX180MTG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008CX180MTG.pdf | ||
VC-TCXO 15.3MHZ DSA535SC 3V/2.5PPM | VC-TCXO 15.3MHZ DSA535SC 3V/2.5PPM KDS 532mm | VC-TCXO 15.3MHZ DSA535SC 3V/2.5PPM.pdf | ||
74ABT245D.623 | 74ABT245D.623 PHA SMD or Through Hole | 74ABT245D.623.pdf |