창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS5U34TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS5U34 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS5U34TR | |
| 관련 링크 | QS5U, QS5U34TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FCN1210A103J | 10000pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | FCN1210A103J.pdf | |
![]() | STH310N10F7-6 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | STH310N10F7-6.pdf | |
| RSMF1JT240R | RES METAL OX 1W 240 OHM 5% AXL | RSMF1JT240R.pdf | ||
![]() | 43J5R0E | RES 5 OHM 3W 5% AXIAL | 43J5R0E.pdf | |
![]() | BCR3FM-12RB | BCR3FM-12RB Renesas TO-220F | BCR3FM-12RB.pdf | |
![]() | 24C01APC27 | 24C01APC27 ATMEL SMD or Through Hole | 24C01APC27.pdf | |
![]() | EL8176AIW-T7A | EL8176AIW-T7A Intersil SOT23-6 | EL8176AIW-T7A.pdf | |
![]() | FN356-16/06 | FN356-16/06 SCHAFFNER SMD or Through Hole | FN356-16/06.pdf | |
![]() | A1266(GR)/Y | A1266(GR)/Y ORIGINAL TO92 | A1266(GR)/Y.pdf | |
![]() | ADM206BRZ | ADM206BRZ AD SOP | ADM206BRZ.pdf | |
![]() | S0043 | S0043 JRC SIP-21P | S0043.pdf |