창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS5U28TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | QS5U28 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | |
공급 장치 패키지 | TSMT5 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | QS5U28TR | |
관련 링크 | QS5U, QS5U28TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 293D156X0016C2TE3 | 15µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2312 (6032 Metric) 1.5 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 293D156X0016C2TE3.pdf | |
FP1008R2-R120-R | 120nH Unshielded Inductor 74A 0.18 mOhm Nonstandard | FP1008R2-R120-R.pdf | ||
![]() | N600CH02KOO | N600CH02KOO WESTCODE MODULE | N600CH02KOO.pdf | |
![]() | TIM1011-4 FLM1011-8L | TIM1011-4 FLM1011-8L MOTOROLA SMD or Through Hole | TIM1011-4 FLM1011-8L.pdf | |
![]() | BD751 | BD751 ORIGINAL SMD or Through Hole | BD751.pdf | |
![]() | MAX221EWE | MAX221EWE MAX SOP | MAX221EWE.pdf | |
![]() | K7N643645M-QC25 | K7N643645M-QC25 SAMSUNG QFP | K7N643645M-QC25.pdf | |
![]() | RG1J397M12025BB180 | RG1J397M12025BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | RG1J397M12025BB180.pdf | |
![]() | TDKCCR33.86MC6T | TDKCCR33.86MC6T TDK SMD or Through Hole | TDKCCR33.86MC6T.pdf | |
![]() | 3-1437390-3 | 3-1437390-3 TYCO SMD or Through Hole | 3-1437390-3.pdf | |
![]() | GAL16V8B20QPI | GAL16V8B20QPI L DIP20P | GAL16V8B20QPI.pdf |