창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS5U28TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS5U28 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS5U28TR | |
| 관련 링크 | QS5U, QS5U28TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 402F37422IAT | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F37422IAT.pdf | |
![]() | LTC6350CMS8#PB | LTC6350CMS8#PB LINEAR sop | LTC6350CMS8#PB.pdf | |
![]() | N242201MKT1G | N242201MKT1G ORIGINAL SMD or Through Hole | N242201MKT1G.pdf | |
![]() | 2SK436-20TB | 2SK436-20TB ORIGINAL 3000R | 2SK436-20TB.pdf | |
![]() | PCA84C844P/160 | PCA84C844P/160 PHILIPS DIP42 | PCA84C844P/160.pdf | |
![]() | 6404273 | 6404273 AMP SMD or Through Hole | 6404273.pdf | |
![]() | HSD150SX84 | HSD150SX84 HANNSTAR SMD or Through Hole | HSD150SX84.pdf | |
![]() | NT3225SA-20M-NSA0322T | NT3225SA-20M-NSA0322T NDK SMD or Through Hole | NT3225SA-20M-NSA0322T.pdf | |
![]() | M26I | M26I ORIGINAL SOT23-5 | M26I.pdf | |
![]() | G9628 | G9628 ORIGINAL DIP | G9628.pdf | |
![]() | S4U-0503 | S4U-0503 INDUSTRIAL SIP4 | S4U-0503.pdf | |
![]() | MAX458EQH | MAX458EQH MAXIM PLCC44 | MAX458EQH.pdf |