창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS5U26TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS5U26 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS5U26TR | |
| 관련 링크 | QS5U, QS5U26TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | UPW1H330MED1TA | 33µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPW1H330MED1TA.pdf | |
![]() | Y00894K02000VR0L | RES 4.02K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y00894K02000VR0L.pdf | |
![]() | AO227 | AO227 Agilent SMD or Through Hole | AO227.pdf | |
![]() | M29W040B90K1/120K6 | M29W040B90K1/120K6 ST PLCC32 | M29W040B90K1/120K6.pdf | |
![]() | M27C801-100B1MGN | M27C801-100B1MGN ST DIP32 | M27C801-100B1MGN.pdf | |
![]() | C78M24CX | C78M24CX ST TO-126 | C78M24CX.pdf | |
![]() | M25P10 | M25P10 ST SMD or Through Hole | M25P10.pdf | |
![]() | 74LS32F | 74LS32F PHI CDIP | 74LS32F.pdf | |
![]() | ALC860-VSI | ALC860-VSI QFP ALC | ALC860-VSI.pdf | |
![]() | 2122N | 2122N ORIGINAL triode | 2122N.pdf | |
![]() | KD-028-12RGB | KD-028-12RGB ORIGINAL SMD or Through Hole | KD-028-12RGB.pdf | |
![]() | AIC1085-2.5 | AIC1085-2.5 ORIGINAL TO-263(D2PAK) | AIC1085-2.5.pdf |