창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS5U16TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS5U16 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.9nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 175pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS5U16TR | |
| 관련 링크 | QS5U, QS5U16TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | ADIS16260BCCZ | Gyroscope Z (Yaw) ±80, 160, 320 50Hz ~ 330Hz SPI 20-LGA (11x11) | ADIS16260BCCZ.pdf | |
![]() | UPD914AGM-3ED | UPD914AGM-3ED CASIO SMD or Through Hole | UPD914AGM-3ED.pdf | |
![]() | P83C652FBA/073 | P83C652FBA/073 ORIGINAL PLCC | P83C652FBA/073.pdf | |
![]() | TA13520 | TA13520 HARRIS DIP-18 | TA13520.pdf | |
![]() | 0805-499R | 0805-499R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-499R.pdf | |
![]() | AM2716B-450/BJA | AM2716B-450/BJA AMD SMD or Through Hole | AM2716B-450/BJA.pdf | |
![]() | EKY-100ETD123MM40S | EKY-100ETD123MM40S NIPPON DIP | EKY-100ETD123MM40S.pdf | |
![]() | SPI-236-19 | SPI-236-19 SANYO GAP2-DIP4 | SPI-236-19.pdf | |
![]() | CMX309FBC1.000M-UT | CMX309FBC1.000M-UT CITIZEN SMD or Through Hole | CMX309FBC1.000M-UT.pdf | |
![]() | DCT471M20Y5PF53L5A0 | DCT471M20Y5PF53L5A0 SHM DIP | DCT471M20Y5PF53L5A0.pdf |