- QD-NVS110M-N-A3

QD-NVS110M-N-A3
제조업체 부품 번호
QD-NVS110M-N-A3
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 2
간단한 설명
QD-NVS110M-N-A3 NVIDIA BGA
데이터 시트 다운로드
다운로드
QD-NVS110M-N-A3 가격 및 조달

가능 수량

74300 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 QD-NVS110M-N-A3 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. QD-NVS110M-N-A3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. QD-NVS110M-N-A3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
QD-NVS110M-N-A3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
QD-NVS110M-N-A3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-QD-NVS110M-N-A3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈QD-NVS110M-N-A3
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류BGA
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) QD-NVS110M-N-A3
관련 링크QD-NVS110, QD-NVS110M-N-A3 데이터 시트, - 에이전트 유통
QD-NVS110M-N-A3 의 관련 제품
9.216MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ECS-92.1-20-5P-TR.pdf
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB VS-1N3768.pdf
DIODE GPP 1A 200V DO-214AC SMA CS1D-E3/I.pdf
1.5µH Shielded Multilayer Inductor 1.4A 130 mOhm Max 1008 (2520 Metric) MLP2520V1R5MT0S1.pdf
33µH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 30.5 mOhm Nonstandard 7443551331.pdf
2C007600 ORIGINAL SMD or Through Hole 2C007600.pdf
10B0961 LEXMARA QFP 10B0961.pdf
APTGS75X170TE3 APT SMD or Through Hole APTGS75X170TE3.pdf
FMB-Z198 IR SMD or Through Hole FMB-Z198.pdf
1762444 PHOENIX SMD or Through Hole 1762444.pdf
T6D04-0303 TOSHIBA LQFP T6D04-0303.pdf
AM435 ORIGINAL PLCC AM435.pdf