창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-QD-NVS110M-N-A3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | QD-NVS110M-N-A3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | QD-NVS110M-N-A3 | |
관련 링크 | QD-NVS110, QD-NVS110M-N-A3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
ECS-92.1-20-5P-TR | 9.216MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-92.1-20-5P-TR.pdf | ||
VS-1N3768 | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | VS-1N3768.pdf | ||
CS1D-E3/I | DIODE GPP 1A 200V DO-214AC SMA | CS1D-E3/I.pdf | ||
MLP2520V1R5MT0S1 | 1.5µH Shielded Multilayer Inductor 1.4A 130 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MLP2520V1R5MT0S1.pdf | ||
7443551331 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 30.5 mOhm Nonstandard | 7443551331.pdf | ||
2C007600 | 2C007600 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2C007600.pdf | ||
10B0961 | 10B0961 LEXMARA QFP | 10B0961.pdf | ||
APTGS75X170TE3 | APTGS75X170TE3 APT SMD or Through Hole | APTGS75X170TE3.pdf | ||
FMB-Z198 | FMB-Z198 IR SMD or Through Hole | FMB-Z198.pdf | ||
1762444 | 1762444 PHOENIX SMD or Through Hole | 1762444.pdf | ||
T6D04-0303 | T6D04-0303 TOSHIBA LQFP | T6D04-0303.pdf | ||
AM435 | AM435 ORIGINAL PLCC | AM435.pdf |