창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-Q65110A0102 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | Q65110A0102 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | Q65110A0102 | |
| 관련 링크 | Q65110, Q65110A0102 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 08051U1R7BAT2A | 1.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051U1R7BAT2A.pdf | |
![]() | VJ2220Y123JBGAT4X | 0.012µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y123JBGAT4X.pdf | |
![]() | VB60170G-E3/8W | DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO263 | VB60170G-E3/8W.pdf | |
![]() | ETQ-P3M4R7KVP | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 4.1A 50.16 mOhm Max Nonstandard | ETQ-P3M4R7KVP.pdf | |
![]() | TEPSLB20J107M(45)8RSN | TEPSLB20J107M(45)8RSN NEC 100UF6.3V-B | TEPSLB20J107M(45)8RSN.pdf | |
![]() | QS32XL383Q1 | QS32XL383Q1 QS SMD or Through Hole | QS32XL383Q1.pdf | |
![]() | L4981 | L4981 ST DIP | L4981.pdf | |
![]() | AK5393VS | AK5393VS AKM SOP | AK5393VS.pdf | |
![]() | HD64F3687GFP | HD64F3687GFP RENESAS SMD or Through Hole | HD64F3687GFP.pdf | |
![]() | ABWD | ABWD ORIGINAL 6SOT-23 | ABWD.pdf | |
![]() | P05N-100ST-B-G | P05N-100ST-B-G M SMD or Through Hole | P05N-100ST-B-G.pdf |