홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » PXAC261212FCV1XWSA1

Infineon Technologies PXAC261212FCV1XWSA1

PXAC261212FCV1XWSA1
제조업체 부품 번호
PXAC261212FCV1XWSA1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC AMP RF LDMOS
데이터 시트 다운로드
다운로드
PXAC261212FCV1XWSA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PXAC261212FCV1XWSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. PXAC261212FCV1XWSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PXAC261212FCV1XWSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PXAC261212FCV1XWSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PXAC261212FCV1XWSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PXAC261212FCV1XWSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PXAC261212FC
PCN 부품 상태 변경Mult Device Pkg Type Disc 08/Jun/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장*
부품 현황주문 불가
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.69GHz
이득15dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트280mA
전력 - 출력28W
전압 - 정격65V
패키지/케이스*
공급 장치 패키지*
표준 포장 50
다른 이름SP001213256
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PXAC261212FCV1XWSA1
관련 링크PXAC261212F, PXAC261212FCV1XWSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
PXAC261212FCV1XWSA1 의 관련 제품
4.7µH Shielded Inductor 1.9A 68.8 mOhm Max Nonstandard CDRH3D23NP-4R7PC.pdf
47µH Unshielded Inductor 156mA 9.6 Ohm Max Axial SC10470KT.pdf
RES SMD 53.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 ERA-8APB5362V.pdf
RES SMD 430 OHM 5% 1/8W 0805 MCR10EZHJ431.pdf
RES SMD 23.2 OHM 0.5% 1/4W 1206 RT1206DRE0723R2L.pdf
GS431W(B) GLOBALTECH SOT-23 GS431W(B).pdf
K1KY30B00006 JAE SMD or Through Hole K1KY30B00006.pdf
82J0286-27.000MHZ-A ORIGINAL SMD or Through Hole 82J0286-27.000MHZ-A.pdf
IXFT50N20G IXYS TO-268D3PAK IXFT50N20G.pdf
2SC4177-T1/JM NEC SOT323 2SC4177-T1/JM.pdf
AAUN ORIGINAL 6SOT-23 AAUN.pdf
50CER33LH SANYO SMD 50CER33LH.pdf