홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » PXAC201202FCV2XWSA1

Infineon Technologies PXAC201202FCV2XWSA1

PXAC201202FCV2XWSA1
제조업체 부품 번호
PXAC201202FCV2XWSA1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC AMP RF LDMOS
데이터 시트 다운로드
다운로드
PXAC201202FCV2XWSA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PXAC201202FCV2XWSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. PXAC201202FCV2XWSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PXAC201202FCV2XWSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PXAC201202FCV2XWSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PXAC201202FCV2XWSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PXAC201202FCV2XWSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PXAC201202FC
PCN 부품 상태 변경Mult Device Pkg Type Disc 08/Jun/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장*
부품 현황주문 불가
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.2GHz
이득17dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트240mA
전력 - 출력16W
전압 - 정격65V
패키지/케이스*
공급 장치 패키지*
표준 포장 50
다른 이름SP001229414
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PXAC201202FCV2XWSA1
관련 링크PXAC201202F, PXAC201202FCV2XWSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
PXAC201202FCV2XWSA1 의 관련 제품
10000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.591" Dia(15.00mm) HBE103MBBCF0KR.pdf
33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C330F2GACTU.pdf
LED Lighting XLamp® XP-E White, Warm 3500K 3.05V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad XPEWHT-L1-0000-00AZ6.pdf
RES SMD 124 OHM 1% 1/8W 0805 CR0805-FX-1240ELF.pdf
40mm/11P(1.25) Delevan SMD or Through Hole 40mm/11P(1.25).pdf
PCF-W0402-02-4701-DT-I IRCINCADVFILM SMD DIP PCF-W0402-02-4701-DT-I.pdf
KAB2402102NA31401(24 MATSUO SMD or Through Hole KAB2402102NA31401(24.pdf
10189F S CDIP-16 10189F.pdf
B41851F6158M008 EPCOS DIP B41851F6158M008.pdf
U4089B-SSOP44 ATMEL SMD or Through Hole U4089B-SSOP44.pdf
M52-040000S1045 HARWIN SMD or Through Hole M52-040000S1045.pdf