창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PWS2012T 4R7N GJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PWS2012T 4R7N GJ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PWS2012T 4R7N GJ | |
| 관련 링크 | PWS2012T , PWS2012T 4R7N GJ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C2012X7S0G106K085AC | 10µF 4V 세라믹 커패시터 X7S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7S0G106K085AC.pdf | |
![]() | AQ12EA1R0CAJME | 1pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA1R0CAJME.pdf | |
![]() | LQW03AW7N5C00D | 7.5nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 240 mOhm Max Nonstandard | LQW03AW7N5C00D.pdf | |
![]() | IC62LV256-70T | IC62LV256-70T ICSI SMD or Through Hole | IC62LV256-70T.pdf | |
![]() | K4N51163QE-2C2A | K4N51163QE-2C2A SAMSUNG BGA | K4N51163QE-2C2A.pdf | |
![]() | LP5996 | LP5996 NSC SMD or Through Hole | LP5996.pdf | |
![]() | RER65F1430R | RER65F1430R VISHAY SMD or Through Hole | RER65F1430R.pdf | |
![]() | RDEF-9SE-LNA | RDEF-9SE-LNA HIROSE SMD or Through Hole | RDEF-9SE-LNA.pdf | |
![]() | LM77CIMMX-3(T06C) | LM77CIMMX-3(T06C) NS MSOP-8 | LM77CIMMX-3(T06C).pdf | |
![]() | ESDA6V8AV5T1G | ESDA6V8AV5T1G ON SOT-553 | ESDA6V8AV5T1G.pdf | |
![]() | 74LCX373FT | 74LCX373FT TOS TSSOP | 74LCX373FT.pdf | |
![]() | TC7WZ04FK(5RSN | TC7WZ04FK(5RSN TOSHIBA US8 | TC7WZ04FK(5RSN.pdf |