창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PWR6327W6800J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PWR1913, 2615, 4525, 6327 | |
3D 모델 | PWR6327.stp | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | PWR6327 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 680 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 3W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지, 내습성, 비유도성, 펄스 내성 | |
온도 계수 | ±20ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 275°C | |
패키지/케이스 | 6327 J-리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | - | |
크기/치수 | 0.626" L x 0.272" W(15.90mm x 6.90mm) | |
높이 | 0.268"(6.80mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PWR6327W6800J | |
관련 링크 | PWR6327, PWR6327W6800J 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
![]() | RQ3G100GNTB | MOSFET N-CH 40V 10A TSMT | RQ3G100GNTB.pdf | |
![]() | HRPG-ASCA#59C | ENCODER MINI 120CPR 20.3X6MM | HRPG-ASCA#59C.pdf | |
![]() | GAR2004A-45 | GAR2004A-45 ORIGINAL SMD or Through Hole | GAR2004A-45.pdf | |
![]() | DS3667 | DS3667 NS DIP | DS3667.pdf | |
![]() | BC856W(3D) | BC856W(3D) NXP SOT323 | BC856W(3D).pdf | |
![]() | EM128C16T | EM128C16T X TSOP | EM128C16T.pdf | |
![]() | RH03A3CS4X 3X3 47K | RH03A3CS4X 3X3 47K ALPS SMD or Through Hole | RH03A3CS4X 3X3 47K.pdf | |
![]() | AP3003S-ADJTRE1 | AP3003S-ADJTRE1 BCD TO-263 | AP3003S-ADJTRE1.pdf | |
![]() | 1NC60R | 1NC60R ST TO-92 | 1NC60R.pdf | |
![]() | C3225JF1C685ZT-N | C3225JF1C685ZT-N TDK SMD or Through Hole | C3225JF1C685ZT-N.pdf | |
![]() | QAL0288-002 | QAL0288-002 JVC N A | QAL0288-002.pdf |