창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PWR263S-35-1R00J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PWR263S-35 Series | |
제품 교육 모듈 | Current Sense Resistor Overview | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PWR263S-35xxx Material Declaration | |
3D 모델 | PWR263S-35.stp | |
PCN 설계/사양 | Date Code Format Feb/2016 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | PWR263S-35 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 1 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 35W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200, 전류 감지, 펄스 응력 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
크기/치수 | 0.398" L x 0.409" W(10.10mm x 10.40mm) | |
높이 | 0.192"(4.88mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | PWR263S351R00J | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PWR263S-35-1R00J | |
관련 링크 | PWR263S-3, PWR263S-35-1R00J 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
CE3392-32.000 | 32MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 18mA Enable/Disable | CE3392-32.000.pdf | ||
QM200E2Y(E3Y)-HB | QM200E2Y(E3Y)-HB MITSUBISHI GTR | QM200E2Y(E3Y)-HB.pdf | ||
UPD40BC | UPD40BC NEC DIP | UPD40BC.pdf | ||
ST-23G DIP KODENSHI | ST-23G DIP KODENSHI ORIGINAL SMD or Through Hole | ST-23G DIP KODENSHI.pdf | ||
GPS1890LP/P/SMA/FME | GPS1890LP/P/SMA/FME Hirschmann SMD or Through Hole | GPS1890LP/P/SMA/FME.pdf | ||
EXBV8A330JV | EXBV8A330JV PANASONIC SMD | EXBV8A330JV.pdf | ||
S1010 | S1010 ORIGINAL DIP-8L | S1010.pdf | ||
A3440-63K210UC | A3440-63K210UC M SMD or Through Hole | A3440-63K210UC.pdf | ||
MT46V16M16BG-5BIT:F | MT46V16M16BG-5BIT:F Micron FBGA60 | MT46V16M16BG-5BIT:F.pdf | ||
UPA674 | UPA674 NEC SOT-363 | UPA674.pdf | ||
K4S561632N-LL75 | K4S561632N-LL75 SAMSUNG TSOP54 | K4S561632N-LL75.pdf | ||
CMOZ6L8TR | CMOZ6L8TR Centralsemisemi SOD-523 | CMOZ6L8TR.pdf |