창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PWR263S-35-1002J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PWR263S-35 Series | |
제품 교육 모듈 | Current Sense Resistor Overview | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PWR263S-35xxx Material Declaration | |
3D 모델 | PWR263S-35.stp | |
PCN 설계/사양 | Date Code Format Feb/2016 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | PWR263S-35 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 10k | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 35W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200, 전류 감지, 펄스 응력 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
크기/치수 | 0.398" L x 0.409" W(10.10mm x 10.40mm) | |
높이 | 0.192"(4.88mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | PWR263S351002J | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PWR263S-35-1002J | |
관련 링크 | PWR263S-3, PWR263S-35-1002J 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 3094-562GS | 5.6µH Unshielded Inductor 160mA 1.8 Ohm Max 2-SMD | 3094-562GS.pdf | |
![]() | MCS0402MD4022BE100 | RES SMD 40.2KOHM 0.1% 1/10W 0402 | MCS0402MD4022BE100.pdf | |
![]() | CRCW25122K74FKTG | RES SMD 2.74K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25122K74FKTG.pdf | |
RSMF1JB3K00 | RES MO 1W 3K OHM 5% AXIAL | RSMF1JB3K00.pdf | ||
![]() | rtd2120s-gr | rtd2120s-gr realtek plcc | rtd2120s-gr.pdf | |
![]() | MB1F318S | MB1F318S NB QFP | MB1F318S.pdf | |
![]() | AT45DB041B TC | AT45DB041B TC MEMORY SMD | AT45DB041B TC.pdf | |
![]() | L10596 | L10596 hamamatsu TO-46 | L10596.pdf | |
![]() | HEDS-9141 | HEDS-9141 Agilent SMD or Through Hole | HEDS-9141.pdf | |
![]() | HP32C681MRY | HP32C681MRY HITACHI DIP | HP32C681MRY.pdf | |
![]() | LQW04DAN3N9D00D | LQW04DAN3N9D00D MURATA SMD | LQW04DAN3N9D00D.pdf | |
![]() | MESI1013X-T1 | MESI1013X-T1 VISHAY SOT-323 | MESI1013X-T1.pdf |