창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PWR2010W1000JE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PWR2010,3014,4318,5322 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PWR2010W Material Declaration | |
| 3D 모델 | PWR2010.stp | |
| 카탈로그 페이지 | 2251 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | PWR2010 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 100 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지, 펄스 내성 | |
| 온도 계수 | ±20ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 2010 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.200" L x 0.100" W(5.08mm x 2.54mm) | |
| 높이 | 0.148"(3.76mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | PWR2010W1000JETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PWR2010W1000JE | |
| 관련 링크 | PWR2010W, PWR2010W1000JE 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B3X7R1H153M050BB | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X7R1H153M050BB.pdf | |
![]() | CBR02C339B9GAC | 3.3pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C339B9GAC.pdf | |
![]() | L71-A470X | GDT 400V 5KA THROUGH HOLE | L71-A470X.pdf | |
![]() | ICTE12-E3/51 | TVS DIODE 12VWM 16.5VC AXIAL | ICTE12-E3/51.pdf | |
![]() | RMCP2010FT33K0 | RES SMD 33K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT33K0.pdf | |
![]() | ADL5336ACPZ-R7 | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 1GHz 32-LFCSP-VQ (5x5) | ADL5336ACPZ-R7.pdf | |
![]() | ST92F150CR1T3 | ST92F150CR1T3 ST SMD or Through Hole | ST92F150CR1T3.pdf | |
![]() | SE556-IF-883B | SE556-IF-883B PHILIPS CDIP | SE556-IF-883B.pdf | |
![]() | BDX33-S | BDX33-S bourns DIP | BDX33-S.pdf | |
![]() | MB84256A70L | MB84256A70L FUJ SOIC | MB84256A70L.pdf | |
![]() | PM200DVA120 | PM200DVA120 MITSUBISHI SMD or Through Hole | PM200DVA120.pdf | |
![]() | ET-IK65MXV02 | ET-IK65MXV02 MX QFP | ET-IK65MXV02.pdf |